布里奇曼法相关论文
钙钛矿型（ABO3）弛豫铁电单晶具有优异的机电耦合性能，被认为是研制下一代医疗超声换能器、高精度压电驱动器、水声换能器等机电耦合器......
Cs4SrI6:Eu晶体是近几年发现的一种新颖的闪烁晶体。据报道其在662ke V下的光输出为60000 ph/Me V（～8 mm~3晶体）,能量分辨率达到了3.3......
采用温度振荡法和改进的布里奇曼法进行了CdGeAs2多晶合成与单晶生长,生长出?28 mm×65 mm完整无开裂的CdGeAs2单晶体.用金刚石外......
闪烁晶体作为一种辐射探测材料在许多领域有着重要应用。虽然闪烁晶体发现至今已有一个多世纪,但随着探测器技术的进步,以及材料合......
二维层状范德华半导体在新型纳米电子和光电子器件领域的发展日渐广阔,其异于块体材料的奇特物理和化学性质使之成为材料、微电子......
新型长波红外非线性晶体PbIn6Te10具有透光波段宽(1.3～31 μm)、非线性系数大(d11=51 pm/V),双折射适宜(～0.05)等优点,在14～25 μm乃......
GaSb不仅在在光纤通信中有巨大的潜在应用价值，其制造的器件在其他领域也有很大的应用价值。在所有Ⅲ-Ⅴ族材料中，GaSb作为衬底材料......
本文主要对Bi2-xGdxSe3拓扑绝缘体单晶样品的结构以及磁性的探究。 利用改善的布里奇曼方法制备Bi2-xGdxSe3单晶样品，发现最高温......
本文通过差热分析(DTA)和X射线粉末衍射(XRD)方法研究了赝二元系LiF-SrAlF5的相平衡关系.该赝二元系在LiF:SrAlF5=1:1处形成一致融......
本文首次报道了Ca4YO(BO3)3(YCOB)晶体的坩埚下降法生长.在1600～1650℃炉温下,固液界面处的纵向温度梯度为40～60℃/cm,以0.2～0.6mm/h......
大尺寸有机晶体在太赫兹波产生、中子探测、微波激射等多个关系国计民生、涉及国家安全的领域具有重要应用前景。但大尺寸有机单晶......
本文报道了用Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长的优质大尺寸Ｃｒ∶ＬｉＣＡＦ晶体及其闪光灯泵浦性能研究。晶体尺寸达１０×１２０ｍｍ和２０×１００ｍｍ，光学质量优良。用氙灯泵浦４×７０ｍｍ的Ｃｒ∶ＬｉＣＡＦ激光棒，在......
本文根据光学显微镜、扫描电镜、电子探针微区成分分析和晶体退火过程的实时观察，将存在于 Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体中的光散射中心分为３ 种类型：气态......
本文运用热力学关系估算了ＣｄＺｎＴｅ 熔体平衡分压。尝试以Ｃｄ１ － ｘＺｎｘ 合金源替代Ｃｄ 源控制Ｃｄ 分压和Ｚｎ 分压进行了Ｃｄ０ ．８Ｚｎ ０ ．２Ｔｅ 晶体熔体生长，探讨了熔体分压与晶体......
本文首次报道了Ca4 YO(BO3) 3(YCOB)晶体的坩埚下降法生长。在 16 0 0～ 16 50℃炉温下 ,固液界面处的纵向温度梯度为 4 0～ 6 0℃ /cm......
本文报道了坩埚下降法生长大尺寸白宝石单晶。我们使用大尺寸异型钼坩埚 ,高纯氧化铝原料 ,在中性气氛下 ,结晶区温度梯度为 2 5～ 3......
本文报道了高质量Cr∶LiSrAlF6 (简称Cr∶LiSAF)晶体的软坩埚下降法生长及其激光特性。采用“固相反应”氟化法处理原料 ,能有效的......
报道了采用富 Cd原料的无籽晶垂直布里奇曼法生长高阻碲锌镉 Cd0 .8Zn0 .2 Te(CZT)单晶体的新工艺 ,对所生长的晶体作了 X射线衍射......
通过适当的工艺措施 ,采用Bridgman法生长了直径为 30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd0 9Zn0 1Te晶锭 .测试结果表明 :该晶锭结晶......
期刊
ZnGeP 2晶体在1~2.5μm有几个吸收峰,此波段的吸收峰主要是由于点缺陷V P、Ge Zn和V Zn引起的,这些光学吸收严重影响ZnGeP 2晶体在......
新型长波红外材料PbGa6Te10具有折射率高(>3)、红外透光范围广(1:4∼22:3m)、稳定性和机械性能较好等优点,具有较大的应用潜力。但......
针对高品质红外非线性晶体GaSe难以生长、加工的问题，研究了垂直布里奇曼法籽晶定向生长技术。制备出Ф20mm×50mm完整单晶，探索......
基于对溶质传输特性的定量估算,确定了Hg1-xMnxTe晶体在ACRT-B生长过程溶质再分配的简化条件和计算模型,并用于晶体生长过程成分偏......
采用竖式布里奇曼法成功生长出大尺寸30mm×80mm的AgGaGeS4单晶。X射线摇摆曲线测试结果表明该单晶结构完整。单晶元件在1.5......
采用改进过的布里奇曼法成功地生长了Tm^3＋离子浓度从0.5~4mol%变化的高质量Na5Lu9F32单晶.在790nm LD激发下,研究了不同Tm^3＋掺杂晶......
非线性光学晶体具有多种生长方法,每种方法都有其独特的优势和适用的晶体,通过了解典型非线性光学晶体生长方法的特点,可以确定采......
采用垂直布里奇曼法成功生长了一种Cs4SrI6∶3%Eu闪烁晶体。毛坯晶体尺寸最大为Φ25×70 mm3,是目前最大的Cs4SrI6∶Eu单晶。X......
掺铕碘化锂 (LiI(Eu) )是优秀的中子探测闪烁晶体材料。碘化锂原料在空气中极易氧化和潮解 ,同时晶体本身也很容易解理 ,这给晶体......
利用布里奇曼法进行GaMnSb磁性半导体生长,并对其结构、磁学及电学特性进行研究.在高Mn区域发现了室温铁磁性,而在低Mn区域只探测......
利用布里奇曼法进行了InAsSb半导体合金的生长,并对其结构、光学及电学特性进行了表征.研究发现,As替位掺杂造成X射线（111）衍射峰略......
碲锌镉(CdZnTe,CZT)晶体被认为是目前最有前途的室温半导体探测器材料之一,基于该晶体的探测器件具有能量分辨率高、体积小、便携......
在500℃高真空条件下，制备了KPb2Cl5原料，对原料进行了XRD分析，表明该方法能得到纯相的KPb2Cl5。利用改进的布里奇曼法进行了生长KPb2......
采用高纯（99．9999％）Ag、Ga、In和Se单质为原料，按化学计量比富Se0．3-0．5％配料，通过机械振荡和温度振荡相结合的方法合成出单相高致密AgGa1-x......
采用DTA对不同铟含量（x）的AgGa1-xInxSe2多晶熔化和结晶温度进行了测试。结果表明：随着x值的增加其过冷度增大。采用改进的垂直布里奇......
利用Bridgman法生长掺杂铈离子浓度为3at%的LaBr3晶体,将其加工出具有（100）和（001）晶面的晶体样品,尺寸为9 mm×9 mm×14 mm。......
采用布里奇曼法生长出了化合物半导体GaTe,并对其晶体结构进行研究。利用X射线衍射仪对GaTe粉末和块体试样分别进行测试,确定了其......
设计出PBN内衬的逐层减压石英生长安瓿,采用改进的垂直布里奇曼法,获得了完整无开裂的CdSiP2晶体,尺寸达15mm×65mm。采用高......
用布里奇曼法成功制备出一种新颖的三元系碱金属卤化物闪烁晶体-KSr2I5∶Eu,加工后的晶体尺寸达15 mm×10 mm×10 mm。XRD测试结果......
硒化铋（Bi2Se3）是一种优良的热电材料,热电优质系数高,一直是热电材料领域的重要研究对象。近年来的研究又发现,Bi2Se3是一种新型三......
连续供料坩埚下降法生长晶体严秀莉吴星（中国科学院物理研究所，１０００８０北京）ＢｒｉｄｇｍａｍＧｒｏｗｔｈｏｆＳｉｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌｗｉｔｈＣｏｎｔｉｎｕｏｕｓＦｅｅｄｉｎｇＹａｎＸｉｕｌｉＷｕＸｉｎｇ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＰｈｓｉｃｓ，Ｃｈｉ.........
本文报道了用 Ｅｒ２ Ｏ３ ， Ｂａ Ｃｌ２·２ Ｈ２ Ｏ 和 Ｎ Ｈ４ Ｃｌ 直接合成新型激光上转换晶体 Ｂａ２ Ｅｒ Ｃｌ７ 的原料和单晶生长方法。差热分析（ Ｄ Ｔ Ａ） 测得其熔点为６４３ ．７ ℃。能谱分析（ ......
Ba2 ErCl7晶体是一种新型激光上转换材料 ,在LD泵浦下 ,它具有低的激发阈值和高的绿光发光效率。但是 ,这种晶体在合成和晶体生长......
利用CdZnte晶体晶面夹角之间的关系采用激光正反射法对改进布里奇曼法生长的CdZnTe单晶进行定向,研磨出了CdZnTe单晶体的(111)、(1......
简单介绍了布里奇曼法生长碲镉汞晶体的主要缺陷以及缺陷的控制原理，回顾了国内进行磅镉汞晶体生长的布里奇曼法及加速坩埚旋转技术......
采用布里奇曼法在Ar气气氛中于石英坩锅内合成了PbTe单晶，并运用真空蒸镀法制成了其多晶薄膜，测试了它们的伏安特性、热电特性、光电......
采用改进的垂直布里奇曼生长法生长CdZnTe（CZT）单晶,并在晶体生长后期采取长时间的原位恒温退火.采用红外透射显微镜、I-V特性曲线以......
ＮａＢｉ（ＷＯ４）２晶体生长研究郑燕宁陈刚任绍霞徐玉恒李铭华（北京玻璃研究院，北京１０００６２）（哈尔滨工业大学应用化学系，哈尔滨１５０００６）ＳｔｕｄｙｏｎＧｒｏｗｔｈｆｏｒＮａＢｉ（ＷＯ４）２ＣｒｙｓｔａｌＺｈｅｎｇＹａｎｎｉｎｇＣｈｅｍＧ...
Study on Crystal Grow......
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